Но еще более важно то, что дислокации оказываются подвижными. Если мыприложим небольшую сдвиговую нагрузку к кристаллу, то обнаружим, что необходималишь малая добавочная деформация, чтобы разорвать всю линию сильно натянутыхсвязей. Но затем мы обнаружим (рис. 28, б), что в результате всярасстановка оказалась всего лишь смещенной на одно межатомное расстояние.Продолжая нагружать кристалл, мы будем вновь и вновь повторять этот процесси в конце концов вытолкнем дислокацию на поверхность кристалла (рис. 28, в).А сила, необходимая для этого, может быть очень малой.
Инженеры-механики и некоторые металловеды встретили идею Тэйлора в штыки,даже сейчас еще кое-кто из них издает глухое рычание. Однако физики академическоготолка с ликованием набросились на дислокации. Позже еще многие годы дислокаций,как таковых, никто не видел и, быть может, не ожидал когда-либо увидеть;но их гипотетические движения (дислокации одного знака отталкиваются другот друга и т.д.) и правила размножения (когда союз двух дислокаций освященвнезапным появлением в кристалле пяти сотен новых дислокаций) могли бытьтеоретически предсказаны, они давали превосходную пищу уму, были чем-товроде трехмерных шахмат.
Нужно сказать, почти все эти академические предсказания сбылись. ВначалеТэйлор предполагал, что скольжение в пластичных кристаллах обеспечиваетсятеми дислокациями, которые с самого начала присутствуют в кристалле благодаряслучайностям неидеального роста. Затем оказалось, что обычно для интенсивногоскольжения, которое происходит в пластичных материалах, этих дислокацийне хватает. Большие семейства новых дислокаций могут, однако, генерироватьсялибо вследствие дислокационных взаимодействий (источник Франка-Рида), либона резких концентраторах напряжений, например на кончиках трещин. Последнийслучай встречается чаще. Таким образом напряженный металл может быстрона полниться дислокациями (около 10 наквадратный сантиметр) и легко обеспечить себе течение под постоянной нагрузкойлибо стать послушным кузнечному молоту.
Напомним, что дислокация – это существенно линейный дефект, которыйможет довольно легко перемещаться в кристалле. Если дислокаций много, имне надо совершать далекие путешествия, дабы встретить другие дислокации.Результаты встречи бывают различными: например, могут образоваться новыедислокации, а чаще сближающиеся дислокации взаимно отталкиваются.
